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晶体管
2SC3326-B,LF参考图片

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2SC3326-B,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.66105
661.05
3,000
¥0.49946
1498.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
25 V
集电极—射极饱和电压
42 mV
最大直流电集电极电流
300 mA
增益带宽产品fT
30 MHz
最大工作温度
+ 125 C
系列
2SC3326
直流电流增益 hFE 最大值
1200
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
12 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 20V
1:¥3.9211
10:¥3.2205
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
2,000:¥1.2995
参考库存:6810
晶体管
MOSFET N-ch 30V 50A DP
1:¥7.2207
10:¥5.5822
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
2,000:¥2.4295
参考库存:1922
晶体管
MOSFET 60V P-Chnl UMOS
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
参考库存:45964
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.441
参考库存:5086
晶体管
MOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlead
1:¥27.4364
10:¥23.278
100:¥20.2044
250:¥19.1309
参考库存:3668
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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