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晶体管
STGB7NC60HDT4参考图片

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STGB7NC60HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp
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库存:5,175(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.9836
109.836
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.6727
3836.35
1,000
¥6.3506
6350.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
25 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB7NC60HD
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
高度
4.6 mm
长度
10.28 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 4 0A UFD
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.1256
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:3507
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/50V/100mA
1:¥1.8419
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
参考库存:178549
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥15.368
500:¥13.447
1,000:¥11.1418
参考库存:6236
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.0627
参考库存:8723
晶体管
MOSFET SO-8 COMP N-P-CH
1:¥9.2208
10:¥7.91
100:¥6.0455
500:¥5.3449
2,500:¥3.7403
10,000:查看
参考库存:13305
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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