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晶体管
NTD4858N-35G参考图片

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NTD4858N-35G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
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库存:5,914(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.8138
48.138
100
¥3.1075
310.75
1,000
¥2.486
2486
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
IPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
6.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.45 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
25.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
54.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
NTD4858N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
55 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17.3 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.8 ns
典型接通延迟时间
7.7 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V
3,000:¥13.5261
6,000:¥13.0628
参考库存:37317
晶体管
MOSFET -100V, -12A, P Chann el Mosfet
30,000:¥2.8815
参考库存:37322
晶体管
MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
1,000:¥35.2673
2,000:¥34.4198
参考库存:37327
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
80:¥724.1379
参考库存:37332
晶体管
MOSFET 30V 12A 52W 12.5mohm @ 10V
1:¥15.2098
10:¥12.6786
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6444
6,000:查看
参考库存:37337
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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