RN1108MFV(TPL3)原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	0.468
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1108
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BUL416T	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HI-VOLT FAST SW	1:¥21.131 10:¥17.9783 100:¥15.5262 250:¥14.7578	参考库存:1114
SSM6J512NU,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A	1:¥4.068 10:¥2.6894 100:¥1.5029 1,000:¥1.09836 3,000:¥0.94468	参考库存:26411
PSMN1R2-25YLDX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7" Q1	1:¥8.6106 10:¥7.3902 100:¥5.6839 500:¥5.0172 1,500:¥3.5143 9,000:查看	参考库存:1973
FF600R12ME4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1200V 600A	1:¥1,780.4619 5:¥1,737.5784 10:¥1,694.4802 25:¥1,670.7276	参考库存:1415
AUIRFB8407	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A	1:¥23.5153 10:¥19.9784 100:¥17.289 250:¥16.4415	参考库存:3917