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晶体管
STGW39NC60VD参考图片

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STGW39NC60VD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT
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库存:6,201(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V/1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW39NC60VD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
2,500:¥1.2769
参考库存:14397
晶体管
MOSFET 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.4295
1,000:¥1.9436
3,000:¥1.6498
参考库存:13624
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 80V
1:¥2.9154
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
4,000:¥0.60681
参考库存:97176
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:33573
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:254605
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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