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晶体管
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IRG4IBC30UDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
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库存：13,981(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.5834
29.5834
10
¥25.1312
251.312
100
¥21.8203
2182.03
250
¥20.6677
5166.925
500
¥18.5207
9260.35
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
17 A
Pd-功率耗散
45 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
17 A
高度
9.1 mm
长度
10.6 mm
宽度
4.8 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001540446
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STL24NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.200 Ohm 16 A HV Mdmesh II
1:¥34.0356
10:¥28.9732
100:¥25.0521
250:¥23.8204
3,000:¥17.1308
参考库存:1991
ALD910016SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:51230
STP11N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:6498
ALD310504PAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch/Dual P-Ch EPAD Matched Pair
50:¥18.5998
100:¥17.4472
250:¥15.7522
500:¥14.1363
参考库存:51237
CGHV35150F
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
暂无价格
参考库存:51242

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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