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晶体管
IPD090N03L G参考图片

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IPD090N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS 3
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库存：45,912(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥1.7289
4322.25
10,000
¥1.6724
16724
25,000
¥1.5933
39832.5
50,000
¥1.5707
78535
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
IPD090N03LGBTMA1 IPD9N3LGXT SP000236950
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDM2206-800LR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET N-Ch 800V LR FET 6.0A 2.8nC 0.8Ohm
1:¥11.6842
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.2772
参考库存:38946
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥350.7746
250:¥343.3957
参考库存:38951
SI4362BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 19.8A 6.6W 4.6mohm @ 10V
2,500:¥8.9157
5,000:¥8.5315
10,000:¥8.2264
参考库存:38956
QPD1881L
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
25:¥2,151.52
参考库存:38961
PTFB091802FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥524.7381
参考库存:38966

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    50万现货SKU

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