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晶体管
IGP10N60TXKSA1参考图片

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IGP10N60TXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
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库存:11,706(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0964
3548.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP10N60T IGP1N6TXK SP000683042
单位重量
2.030 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:33640
晶体管
MOSFET MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6444
500:¥5.876
4,000:¥4.1132
8,000:查看
参考库存:36287
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:120184
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -100V 13A 205mOhm 38.7nC
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8026
500:¥6.0116
1,000:¥4.746
3,000:¥4.746
参考库存:29791
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
1:¥7.458
10:¥6.3732
100:¥4.8929
500:¥4.3279
1,000:¥3.4126
2,000:¥3.4126
参考库存:22238
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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