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晶体管
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BCP5210TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
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数量单价合计
1,000
¥0.7684
768.4
2,000
¥0.66105
1322.1
10,000
¥0.5989
5989
25,000
¥0.56048
14012
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
125 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCP52
直流电流增益 hFE 最大值
63
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
63 at 150 mA, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:29181
TPC8134,LQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC
1:¥5.2997
10:¥4.068
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥1.8419
参考库存:13343
IPP65R190E6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3
1:¥23.052
10:¥19.5942
100:¥16.9839
250:¥16.1364
500:¥14.4414
参考库存:2565
DTC124EET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.2317
10:¥1.06785
100:¥0.37629
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.1921
参考库存:59592
IRFP7718PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥44.8723
10:¥38.1149
100:¥33.0412
250:¥31.3462
500:¥28.1257
参考库存:3029

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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