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晶体管
ZXMN2B14FHTA参考图片

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ZXMN2B14FHTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
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库存:36,626(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.7912
47.912
100
¥3.0849
308.49
1,000
¥2.4747
2474.7
3,000
¥2.4747
7424.1
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.02 mm
长度
3.04 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN2B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
3.7 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET
1:¥7.684
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
3,000:¥2.5764
参考库存:51660
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.4523
10:¥5.4805
100:¥4.2149
500:¥3.7177
800:¥2.938
参考库存:26072
晶体管
MOSFET NFET SO8 30V 14.8A 0.061R
1:¥6.6105
10:¥5.5935
100:¥4.294
500:¥3.7968
2,500:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:9439
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm
100:¥50.9404
300:¥47.5617
500:¥44.4881
1,000:¥41.5727
参考库存:4201
晶体管
达林顿晶体管 5A 60V Bipolar Power NPN
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.599
1,000:¥2.0792
参考库存:35078
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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