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晶体管
IKB20N60H3参考图片

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IKB20N60H3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT
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库存:9,284(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥18.0574
180.574
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.8256
3706.4
1,000
¥11.2209
11220.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
170 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB20N60H3ATMA1 IKB2N6H3XT SP000852234
单位重量
2.200 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SURF MT BIASED RES XSTR
1:¥3.2996
10:¥2.2826
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.68365
参考库存:77817
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 47K
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:14854
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,289.9854
10:¥1,183.7202
25:¥1,062.313
50:¥940.9058
参考库存:3031
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA HFE/250
1:¥2.2261
10:¥1.4916
100:¥0.62263
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:54738
晶体管
MOSFET 16A,12V,P Channel Mosfet
1:¥4.8364
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1639
参考库存:17230
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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