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晶体管
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MRFX1K80NR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
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数量单价合计
1
¥1,632.0816
1632.0816
5
¥1,595.7408
7978.704
10
¥1,563.1516
15631.516
25
¥1,540.0318
38500.795
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
43 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 179 V
增益
24.4 dB
输出功率
1.8 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX1K80
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
44.7 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
3333 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935362678578
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPI80N04S3-03
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T
1:¥16.7466
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
参考库存:52302
IPB160N04S3-H2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T
1:¥19.0518
10:¥16.2155
100:¥12.9837
500:¥11.3678
1,000:¥9.4468
参考库存:52307
RJK6024DPH-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET Power MOSFET , 600V, IPAK
1:¥9.2208
10:¥8.1473
25:¥7.3337
100:¥6.4184
参考库存:52312
2N6438
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥417.7836
2:¥410.1674
5:¥405.4892
10:¥393.1948
参考库存:52317
NVMFS4C03NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6161
500:¥4.9607
5,000:¥3.4691
10,000:查看
参考库存:52322

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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