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晶体管
SIHS36N50D-E3参考图片

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SIHS36N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs Super-247
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数量单价合计
1
¥53.7089
53.7089
10
¥48.4092
484.092
25
¥44.1039
1102.5975
100
¥39.7986
3979.86
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
83 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
D
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
68 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
89 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
33 ns
零件号别名
SIHS36N50D
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N4261UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥262.4877
250:¥240.8934
参考库存:58137
TK50E06K3(S1SS-Q)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
暂无价格
参考库存:58142
STL30P3LLH6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 package
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:23410
2N335A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥428.609
200:¥404.6417
参考库存:58149
2N5459
Central Semiconductor
晶体管
JFET N-Ch 25Vds 25Vdg Engineering Hold
2,500:¥12.7577
5,000:¥12.2944
参考库存:58154

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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