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晶体管
SPP80P06PHXKSA1参考图片

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SPP80P06PHXKSA1

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库存:3,242(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.5944
23.5944
10
¥20.0575
200.575
100
¥17.3681
1736.81
250
¥16.5206
4130.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
115 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
340 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
XPP80P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
H SP000441774 SPP80P06P SPP8P6PHXK
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power
1:¥14.0572
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2207
参考库存:4033
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 50V PNP
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:179640
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
2,500:¥1.4577
参考库存:27422
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:163749
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
4,000:¥0.61472
参考库存:14156
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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