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晶体管
NJD35N04T4G参考图片

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NJD35N04T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN DARL POWER TRAN
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库存：21,026(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.6217
462.17
500
¥4.0906
2045.3
1,000
¥3.2318
3231.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
最大直流电集电极电流
4 A
Pd-功率耗散
45 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (D-PAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NJD35N04
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6297
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥247.7299
5:¥236.5881
10:¥229.2092
25:¥210.6207
参考库存:52431
BCX55H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.88366
10,000:¥0.82942
参考库存:52436
SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 21A I2PAK-3
1:¥28.9732
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:52441
RJH1CV5DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥48.251
10:¥43.1095
25:¥38.8042
50:¥37.0414
参考库存:52446
IPB47N10SL-26
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
1,000:¥7.2885
参考库存:52451

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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