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晶体管
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FDS86252

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库存:31,105(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.5935
55.935
100
¥4.3053
430.53
500
¥3.8081
1904.05
2,500
¥2.6555
6638.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
FDS86252
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns
单位重量
130 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
286:¥50.3302
500:¥45.878
1,000:¥39.9568
参考库存:54649
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥1,400.1039
参考库存:54654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥156.2112
250:¥143.3857
500:¥136.4701
参考库存:54659
晶体管
IGBT 模块 1700V 150A 3-PHASE
4:¥2,771.1555
8:¥2,604.1076
参考库存:54664
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:9932
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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