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晶体管
TK12E60W,S1VX参考图片

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TK12E60W,S1VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
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数量单价合计
1
¥23.6622
23.6622
10
¥19.0518
190.518
100
¥17.3681
1736.81
250
¥15.6731
3918.275
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK12E60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF3205ZSTRLPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1868
800:¥5.9438
参考库存:7384
IRF7465TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC
1:¥6.3732
10:¥5.2997
100:¥3.4239
1,000:¥2.7346
4,000:¥2.7346
参考库存:27681
SI7615DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7615ADN-T1-GE3
1:¥12.5995
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.8704
3,000:¥6.8704
参考库存:31083
STF40NF20
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Low charge STripFET
1:¥26.894
10:¥22.826
100:¥19.8202
250:¥18.7467
参考库存:9805
IRLL024ZTRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:21342

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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