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晶体管
STGWA25M120DF3参考图片

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STGWA25M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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库存:56,280(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.0771
73.0771
10
¥66.0824
660.824
25
¥63.0088
1575.22
100
¥54.7146
5471.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25M120DF3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC75 GP XSTR NPN 60V
1:¥3.0736
10:¥1.9662
100:¥0.84524
1,000:¥0.64523
3,000:¥0.49155
参考库存:97307
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥37.5725
10:¥31.1202
100:¥25.6623
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:4774
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
5,000:¥1.9662
参考库存:27746
晶体管
MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
1:¥3.3787
10:¥2.5312
100:¥1.3786
1,000:¥1.02943
3,000:¥0.89157
参考库存:105453
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0738
500:¥6.2489
800:¥4.9381
参考库存:10395
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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