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VS-GT100TP60N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
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库存：45,934(价格仅供参考)
数量单价合计
24
¥1,466.5705
35197.692
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
417 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 175 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:40153
MMBT2222A RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,35mW NPN Transistor
3,000:¥0.23843
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.15368
99,000:¥0.12317
参考库存:40158
GTVA263202FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,866.1385
参考库存:40163
SUD35N10-26P-T4GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 100-V D-S
2,500:¥7.7631
参考库存:40168
TSM301K12CQ RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V P channel Mosfet with schottky diode
1:¥5.6048
10:¥4.6895
100:¥3.5369
500:¥2.599
3,000:¥1.7741
6,000:查看
参考库存:40173

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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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