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晶体管
TK10E60W,S1VX参考图片

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TK10E60W,S1VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
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库存：1,967(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥17.289
172.89
100
¥15.8313
1583.13
250
¥14.2945
3573.625
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9.7 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK10E60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7374DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
1:¥24.5097
10:¥20.2835
100:¥16.6788
250:¥16.2155
3,000:¥11.6051
6,000:查看
参考库存:18094
FDMA1023PZ-F106
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET DualP-ch powertrench mosfets
1:¥4.2262
10:¥3.5143
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4125
参考库存:43438
APT15GP60KG
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥44.9514
10:¥36.1148
25:¥35.4255
100:¥32.883
参考库存:43443
DCX143ZU-13R-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
参考库存:53106
IKW50N65H5FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.7307
10:¥32.0468
100:¥27.8206
250:¥26.3516
500:¥23.6622
参考库存:3748

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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