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晶体管
IKW50N65H5FKSA1参考图片

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IKW50N65H5FKSA1

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库存:3,748(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.7307
37.7307
10
¥32.0468
320.468
100
¥27.8206
2782.06
250
¥26.3516
6587.9
500
¥23.6622
11831.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65H5 SP001001734
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 3300V 400A DUAL
1:¥9,870.1771
5:¥9,712.4178
参考库存:49248
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥294.6023
5:¥279.8558
10:¥272.556
25:¥250.4193
参考库存:49253
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
1:¥1,372.3624
5:¥1,339.3212
10:¥1,306.054
25:¥1,287.7593
参考库存:49258
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥304.2073
2:¥295.9131
5:¥287.7658
10:¥279.5394
参考库存:49263
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥1.7854
5,000:¥1.6159
参考库存:49268
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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