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IPD80R3K3P7ATMA1

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数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.859
48.59
100
¥3.1301
313.01
1,000
¥2.5086
2508.6
2,500
¥2.5086
6271.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
1.9 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
18 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPD80R3K3P7 SP001636440
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHH24N65E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥27.1991
参考库存:39341
NTMFD4952NFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
1,500:¥10.2152
4,500:¥9.831
9,000:¥9.2999
参考库存:39346
NTTFS4C65NTWG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
5,000:¥2.8702
10,000:¥2.7572
25,000:¥2.6781
参考库存:39351
STI11NM80
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 0.35 Ohm 11 A MDmesh
1,000:¥29.6625
2,000:¥28.5099
参考库存:39356
ZXT12N50DXTC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN
4,000:¥5.1867
参考库存:39361

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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