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晶体管
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MRF6V2010NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
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数量单价合计
1
¥194.1001
194.1001
5
¥185.5686
927.843
10
¥179.0372
1790.372
25
¥156.2112
3905.28
500
¥134.7751
67387.55
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
23.9 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
工作频率
450 MHz
系列
MRF6V2010N
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 5 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.68 V
零件号别名
935309669528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP8NK80ZFP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2 A
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥13.0628
参考库存:5819
2SA1552T-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
700:¥2.5425
2,100:¥2.147
参考库存:13766
2N6052G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 12A 100V Bipolar Power PNP
1:¥54.4773
10:¥49.2567
50:¥46.9515
100:¥40.7252
参考库存:2738
2N5189
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥46.4882
10:¥41.5727
100:¥37.8776
250:¥34.1938
参考库存:2795
2SK536-TB-E
ON Semiconductor
晶体管
JFET MOSFET 0.1A 50V
1:¥4.7686
10:¥3.8985
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5707
参考库存:26807

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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