RN2110MFV(TPL3)原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723
直流集电极/Base Gain hfe Min	400
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2110
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	120
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2SA1955FVATPL3Z	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO	1:¥3.9211 10:¥2.1696 100:¥0.92999 1,000:¥0.71416 8,000:¥0.48364 24,000:查看	参考库存:44434
BCY78-X	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1W	1:¥14.0572 10:¥12.5204 100:¥9.9892 500:¥8.7575	参考库存:14401
BCX17T116	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45V 500MA	1:¥3.5369 10:¥2.486 100:¥1.1413 1,000:¥0.87575 3,000:¥0.7458	参考库存:7988
STY50N105DK5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 package	1:¥170.5848 5:¥168.822 10:¥157.296 25:¥150.3013	参考库存:7395
FDMC86184	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET	1:¥13.447 10:¥11.3678 100:¥9.1417 500:¥7.9891 3,000:¥6.1811 6,000:查看	参考库存:13872