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晶体管
IGW03N120H2参考图片

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IGW03N120H2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
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库存:51,484(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.278
23.278
10
¥19.7524
197.524
100
¥17.1308
1713.08
250
¥16.2155
4053.875
500
¥14.5996
7299.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
IGW03N120
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
9.6 A
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IGW03N120H2FKSA1 IGW3N12H2XK SP000014182
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.07 Ohm typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥96.8184
10:¥89.0553
25:¥85.3715
100:¥75.145
参考库存:6695
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥645.456
10:¥537.88
25:¥484.092
50:¥430.3831
参考库存:4062
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:15574
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
1:¥38.4991
10:¥31.8886
100:¥26.2838
250:¥25.4363
参考库存:9001
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8139
800:¥5.65
参考库存:27758
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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