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晶体管
IPP100N04S3-03参考图片

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IPP100N04S3-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T
  • 数据手册下载
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库存:3,143(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.4416
18.4416
10
¥15.6731
156.731
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9836
5491.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
IPP100N04S303AKSA1 IPP1N4S33XK SP000261227
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
参考库存:18017
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥4.5313
10:¥3.8307
100:¥2.4634
700:¥1.9775
2,100:¥1.6611
参考库存:15579
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 30W PNP
1:¥7.1416
10:¥6.0794
100:¥4.6669
500:¥4.1245
参考库存:5851
晶体管
MOSFET N Channel FET 250V, 360mA
1:¥6.3054
10:¥5.4918
25:¥4.859
50:¥4.7008
1,000:¥2.2148
参考库存:1493
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:45125
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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