TSM025NB04CR RLG原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	161 A
Rds On-漏源导通电阻	2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	113 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	136 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	82 S
下降时间	26 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	24 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	58 ns
典型接通延迟时间	8.4 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC858C	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW	1:¥1.5368 10:¥1.4577 100:¥0.92999 1,000:¥0.31527 3,000:¥0.26103	参考库存:51601
JANTX2N3902	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥440.3723 5:¥416.5519 10:¥411.7833 25:¥380.9004	参考库存:51606
NVMFS6B03NLWFT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T5 100V LL S08FL	5,000:¥21.5152	参考库存:51611
2N6339	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor	1:¥430.53 2:¥422.62 5:¥417.8514 10:¥405.1728	参考库存:51616
NP60N055NUK-S18-AY	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET	1:¥15.4471 10:¥13.9894 50:¥12.4526 100:¥11.2209	参考库存:51621