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F4-150R06KL4

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数量单价合计
1
¥1,098.2696
1098.2696
5
¥1,076.6866
5383.433
10
¥1,026.5033
10265.033
25
¥1,004.909
25122.725
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
180 A
封装 / 箱体
Econo 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
F4150R06KL4BOSA1 SP000100430
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP25N80K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
1:¥67.235
10:¥60.7827
25:¥57.9351
100:¥50.3302
参考库存:10237
JANSF2N7262U
Microsemi
晶体管
MOSFET Power Mosfet
50:¥3,460.0261
参考库存:53476
RN1406T5LFT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
暂无价格
参考库存:53481
JANTX2N3500/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥112.5706
250:¥102.6605
500:¥95.9709
1,000:¥88.0609
参考库存:53486
2N3867
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥55.935
1,000:¥53.8671
参考库存:53491

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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