RN1101MFV,L3F原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VESM-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
通道数量	1 Channel
通道模式	Enhancement
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI3421DV-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6	1:¥4.6895 10:¥4.0002 100:¥3.0171 500:¥2.2261 1,000:¥1.7402 3,000:¥1.469	参考库存:66000
DMC506E20R	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor SC-113DB/SOT-363	1:¥4.068 10:¥1.9775 100:¥1.356 500:¥1.11418 3,000:¥0.66896 9,000:查看	参考库存:44382
IRF1010NSTRLPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC	1:¥11.8311 10:¥10.0683 100:¥8.0682 500:¥7.0625 800:¥5.8534	参考库存:11004
IRFR9024NTRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC	1:¥6.5314 10:¥5.5935 100:¥4.3053 500:¥3.8081 1,000:¥2.9945 2,000:¥2.9945	参考库存:11676
IPP90R1K2C3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 900V 5.1A TO220-3 CoolMOS C3	1:¥11.9893 10:¥10.2152 100:¥8.1473 500:¥7.1642 1,000:¥5.9325	参考库存:6358