HFA3135IHZ96原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3135
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min	15
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	15 at 10 mA at 2 V, 151 mA at 2 V, 150.1 mA at 2 V, 1510 mA at 5 V, 151 mA at 5 V, 150.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	7000 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	7000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NVMFS4C03NWFT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO	1:¥9.2999 10:¥7.91 100:¥6.102 500:¥5.3901 1,500:¥3.7855 9,000:查看	参考库存:13182
RN2113MFV(TL3,T)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 47kohm -100mA -50V	1:¥1.695 10:¥1.06785 100:¥0.44522 1,000:¥0.30736 8,000:¥0.20001 24,000:查看	参考库存:46151
SIR820DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥11.6842 10:¥9.605 100:¥7.3337 500:¥6.3054 1,000:¥4.9833 3,000:¥4.9833	参考库存:46156
APT50M80B2VRG	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET - MOS5	1:¥246.5773 5:¥236.9723 10:¥228.0566 25:¥209.5472	参考库存:46161
NTMFS5H600NLT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T8 60V LOW COSS	1:¥33.5836 10:¥28.589 100:¥24.747 250:¥23.5153 5,000:¥16.2946	参考库存:46166