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晶体管
TPH6R30ANL,L1Q参考图片

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TPH6R30ANL,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
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库存：49,022(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.5201
65.201
100
¥5.0059
500.59
500
¥4.4296
2214.8
5,000
¥3.0962
15481
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
66 A
Rds On-漏源导通电阻
5.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
TPH6R30ANL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDN361BN
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
1:¥3.616
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:42564
FDPF320N06L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V NCHAN PwrTrench
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:11011
2N5192G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 80V 40W NPN
1:¥5.1528
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:41708
FD600R17KE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 950A
1:¥7,150.0411
参考库存:1690
AFT09MS007NT1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
1:¥30.51
10:¥27.9675
25:¥25.4363
100:¥22.8938
1,000:¥17.1308
2,000:查看
参考库存:11492

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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