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晶体管
NGTB40N120SWG参考图片

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NGTB40N120SWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FSII 40A 1200V Welding
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数量单价合计
1
¥35.5724
35.5724
10
¥30.1936
301.936
100
¥26.2047
2620.47
250
¥24.8148
6203.7
500
¥22.2836
11141.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
535 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJP60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 Power Module - Lead Free
1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
50:¥18.6676
参考库存:48692
TPR700
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,634.3012
参考库存:48697
DMA561060R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Transistor w/resistr 2.0x2.1mm Flat lead
3,000:¥0.53788
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
45,000:¥0.4068
参考库存:48702
SST6427T116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SURFACE NPN
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:48707
6PS03012E33G34160
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥34,030.3568
参考库存:48712

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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