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晶体管
SSM3J112TU,LF参考图片

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SSM3J112TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-signal MOSFET ID=-1.1A VDSS=-30V
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库存:46,587(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥2.3504
23.504
100
¥1.11418
111.418
1,000
¥0.86106
861.06
3,000
¥0.70738
2122.14
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.1 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM3J112TU
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.5 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.5 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
500:¥16.8257
参考库存:10093
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 79A 4MOHM
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.0792
参考库存:47937
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
10,000:¥2.9267
参考库存:47942
晶体管
IGBT 晶体管 NFET U8FL 30V 50A 17
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
1,500:¥1.6498
参考库存:22605
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
2,000:¥2.7007
参考库存:47949
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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