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晶体管
IRF540NSTRRPBF参考图片

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IRF540NSTRRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC
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库存:7,354(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6557
665.57
500
¥5.876
2938
800
¥4.6443
3715.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
47.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001571284
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN/PNP 50V 500MA SOT-457
1:¥3.1527
10:¥2.3617
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82942
参考库存:9341
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 160V
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
3,000:¥0.58421
9,000:查看
参考库存:7700
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.0684
10:¥9.9101
100:¥7.6501
500:¥6.5766
1,000:¥5.1867
3,000:¥5.1867
参考库存:33247
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 100MA 45V
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:335369
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
500:¥16.5206
参考库存:13251
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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