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晶体管
DGTD120T40S1PT参考图片

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DGTD120T40S1PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
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库存:405,962(价格仅供参考)
数量单价合计
450
¥44.0248
19811.16
900
¥40.1828
36164.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
357 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
5.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:17503
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:15840
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A
1:¥14.1363
10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:5392
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
1:¥3.7629
10:¥2.1809
100:¥1.02943
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.66105
参考库存:25214
晶体管
MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
2,500:¥7.0173
参考库存:36731
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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