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晶体管
HGTG10N120BND参考图片

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HGTG10N120BND

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库存:8,049(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.8206
27.8206
10
¥23.5944
235.944
100
¥20.4417
2044.17
250
¥19.436
4859
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
17 A
Pd-功率耗散
298 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG10N120BND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
35 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG10N120BND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET P-Channel
112:¥58.7826
500:¥53.562
1,000:¥46.6464
参考库存:47596
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PMP4501QAS/SOT1216/DFN1010B-6
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:27259
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.5259
500:¥8.3733
参考库存:47603
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.1697
500:¥3.4465
参考库存:47608
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.1472
10:¥5.1415
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
2,500:¥2.6555
参考库存:19771
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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