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晶体管
IKB06N60T参考图片

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IKB06N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A
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库存:2,193(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.9047
14.9047
10
¥12.6786
126.786
100
¥10.1474
1014.74
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.3676
7367.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB06N60TATMA1 IKB6N6TXT SP000014954
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 22kO Input Resist
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:31096
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:30113
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,500:¥7.119
4,500:查看
参考库存:8600
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 51A 24nC 13.5mOhm LogLvAB
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,000:¥3.5934
参考库存:6592
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:12869
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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