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晶体管
FGH40N60SMD-F085参考图片

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FGH40N60SMD-F085

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库存:6,719(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.115
40.115
10
¥34.1147
341.147
100
¥29.5834
2958.34
250
¥28.0466
7011.65
500
¥25.199
12599.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH40N60SM_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH40N60SMD_F085
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥34.8831
205:¥34.8831
500:¥31.2784
1,000:¥26.3516
2,500:¥25.0521
参考库存:53867
晶体管
MOSFET N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
1:¥53.788
10:¥48.6352
25:¥46.4091
100:¥40.2619
3,000:¥29.4252
参考库存:53872
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
5,000:¥1.1639
10,000:¥1.05994
25,000:¥1.03734
参考库存:53877
晶体管
MOSFET TO-251 MOSFET
1,600:¥4.3166
3,200:¥3.7064
5,600:¥3.3787
10,400:¥3.0849
25,600:¥3.0397
参考库存:53882
晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥2,301.7422
2:¥2,246.3383
5:¥2,213.4553
10:¥2,182.0978
参考库存:53887
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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