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晶体管

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BSM200GA120DLC

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库存:53,973(价格仅供参考)
数量单价合计
10
¥945.2902
9452.902
30
¥925.4587
27763.761
50
¥925.3796
46268.98
100
¥879.1287
87912.87
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
370 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GA120DLCHOSA1 SP000092013
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥249.0407
5:¥237.8198
10:¥230.4409
25:¥211.6942
参考库存:52262
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:52267
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥124.9441
250:¥113.9492
500:¥106.5816
参考库存:52272
晶体管
MOSFET Vds=-30V Id=-2A 3Pin
暂无价格
参考库存:52277
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
1:¥24.8148
10:¥21.0519
100:¥18.2834
250:¥17.289
参考库存:7465
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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