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晶体管
STGWA60H65DFB参考图片

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STGWA60H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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库存:1,580(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA60H65DFB
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual 20V N-Channel PowerTrench
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
参考库存:422565
晶体管
MOSFET 75V 80A 12.6mOhm Automotive MOSFET
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
参考库存:4737
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:105219
晶体管
MOSFET 100V PowerTrench MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:22881
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 225mW MATCHED
1:¥2.7685
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
9,000:¥0.70738
参考库存:466778
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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