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晶体管
APTGTQ200A65T3G参考图片

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APTGTQ200A65T3G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块
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库存:42,869(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥609.183
60918.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
480 nA
Pd-功率耗散
483 W
封装 / 箱体
SP3F
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.119
2,500:¥5.4918
5,000:查看
参考库存:34108
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥9.9101
10:¥8.8366
100:¥7.0512
500:¥5.5257
1,000:¥4.407
2,000:¥4.0115
参考库存:24415
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNPBIP PWR THERM TRK PPD
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:6622
晶体管
MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET
1:¥24.6679
10:¥20.9728
100:¥18.2156
250:¥17.289
800:¥13.0628
2,400:查看
参考库存:15249
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
800:¥5.311
参考库存:22801
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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