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晶体管
MMBT 2907A LT1参考图片

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MMBT 2907A LT1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
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数量单价合计
1
¥1.7628
1.7628
10
¥1.243
12.43
100
¥0.52206
52.206
1,000
¥0.35369
353.69
3,000
¥0.27685
830.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT2907
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
600 mA
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
MMBT2907ALT1HTSA1 MMBT297ALT1XT SP000011179
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥478.103
参考库存:40427
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
暂无价格
参考库存:40432
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:40437
晶体管
MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
3,000:¥6.6783
6,000:¥6.4297
9,000:¥6.1811
参考库存:40442
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥918.8482
参考库存:40447
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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