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晶体管

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APTGT400SK120G

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库存:53,545(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,285.9174
1285.9174
5
¥1,254.2548
6271.274
10
¥1,224.0612
12240.612
25
¥1,179.5731
29489.3275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
560 A
栅极—射极漏泄电流
800 nA
Pd-功率耗散
1.785 kW
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
参考库存:27985
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
1:¥13.447
10:¥11.0627
100:¥8.5315
500:¥7.2885
参考库存:9705
晶体管
MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
2,500:¥4.8364
5,000:¥4.5991
参考库存:27992
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
8,000:¥0.66896
参考库存:44772
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥10.6785
10:¥8.9157
25:¥7.458
100:¥6.7574
2,000:¥4.3618
参考库存:27999
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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