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晶体管
PMD16K100参考图片

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PMD16K100

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 80Vceo 5.0 20A 40A 500mA 200W
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库存:43,725(价格仅供参考)
数量单价合计
40
¥308.9759
12359.036
60
¥301.6761
18100.566
100
¥287.1556
28715.56
260
¥263.5612
68525.912
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
2 V
最大直流电集电极电流
40 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
PMD16K100
直流电流增益 hFE 最大值
20000
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
20 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
PBFREE PMD16K100
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A
1:¥160.1323
10:¥147.2277
25:¥141.1596
100:¥124.3226
参考库存:5196
晶体管
MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,500:¥1.1752
参考库存:7398
晶体管
MOSFET 40V 103 A Dual NChnl Power Trench MOSFET
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.4526
3,000:¥9.605
6,000:查看
参考库存:28895
晶体管
IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
800:¥9.1417
参考库存:12812
晶体管
IGBT 晶体管 40A 650V TRENCHSTOP 5 medium speed S5 IGBT copacked with 40A Rapid 1 diode
1:¥37.4934
10:¥31.8886
100:¥27.6624
250:¥26.2047
参考库存:49180
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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