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晶体管
IRF6712STRPBF参考图片

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IRF6712STRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
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库存:27,437(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9892
9.9892
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.5427
654.27
500
¥5.7856
2892.8
4,800
¥4.0454
19417.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-SQ
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
4.85 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001529206
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
5,000:¥1.6272
参考库存:10804
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
参考库存:10606
晶体管
IGBT 晶体管 FS2PIGBT TO3PN 30A 650V
1:¥28.3517
10:¥24.0464
100:¥20.905
250:¥19.8202
参考库存:4708
晶体管
MOSFET 12V P-Channel Trench MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.4295
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
9,000:¥0.79891
18,000:查看
参考库存:24210
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:10447
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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