PDTD113ET,215原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	33
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
Pd-功率耗散	250 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	1 mm
长度	3 mm
宽度	1.4 mm
商标	Nexperia
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	PDTD113ET T/R
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FDMS5361L-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NMOS PWR56 60V 15 MOHM	1:¥7.8422 10:¥6.6783 100:¥5.1302 500:¥4.5313 3,000:¥3.1753 9,000:查看	参考库存:21936
CSD17312Q5	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET	1:¥16.5206 10:¥14.0572 100:¥11.2209 500:¥9.7632 2,500:¥7.571 5,000:查看	参考库存:15143
FCPF067N65S3	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm	1:¥33.5836 10:¥28.5099 100:¥24.747 250:¥23.4362	参考库存:7130
FP15R12W1T4_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1200V 15A	1:¥278.7032 5:¥272.556 10:¥260.0243 25:¥249.1198	参考库存:3842
RW1E015RPT2R	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch	1:¥3.4578 10:¥2.2035 100:¥0.94468 1,000:¥0.72998 8,000:¥0.49155 24,000:查看	参考库存:43374