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晶体管
SIRA12BDP-T1-GE3参考图片

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SIRA12BDP-T1-GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存：33,427(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.6669
46.669
100
¥3.5369
353.69
500
¥2.9267
1463.35
3,000
¥2.1244
6373.2
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
67 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC125TKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:45659
APTGL40X120T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥673.0393
5:¥651.2981
10:¥630.9355
25:¥601.499
参考库存:45664
RJH1CV6DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥46.9515
10:¥41.8778
25:¥37.7307
50:¥36.0357
参考库存:45669
IRFPF50
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPF50PBF
1:¥108.4235
10:¥98.5134
25:¥91.1345
50:¥86.219
参考库存:45674
F20F60C3M-7600
Shindengen
晶体管
MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
1:¥53.4038
10:¥47.799
50:¥44.6463
100:¥41.8778
参考库存:45679

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    50万现货SKU

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