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晶体管
VN2106N3-G P013参考图片

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VN2106N3-G P013

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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库存：42,848(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4578
34.578
25
¥2.8476
71.19
100
¥2.6103
261.03
2,000
¥1.6837
3367.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP80N03S4L-03
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4354
参考库存:8713
KSC2328AYBU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
参考库存:18160
TTA0002(Q)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans
1:¥28.2048
10:¥25.199
50:¥22.6678
100:¥20.6677
参考库存:2672
STX13005
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.4295
1,000:¥1.9436
参考库存:13359
LND150N3-G-P002
Microchip Technology
晶体管
MOSFET DepletionMode MOSFET
1:¥3.9211
10:¥3.8985
25:¥3.2431
100:¥3.0058
2,000:¥3.0058
参考库存:9786

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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