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晶体管
STD12N60M2参考图片

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STD12N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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库存:11,493(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0851
3542.55
2,500
¥4.9607
12401.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
395 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
-
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
6.2 mm
产品
Power MOSFET
系列
STD12N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh M2
宽度
6.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
-
产品类型
MOSFET
上升时间
-
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
-
典型接通延迟时间
-
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥473.0293
5:¥458.7348
10:¥445.2878
25:¥417.4672
参考库存:5119
晶体管
IGBT 晶体管 600V 65A N-Channel
1:¥101.6548
10:¥93.4397
25:¥89.5977
100:¥78.9192
参考库存:9271
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,000:¥5.1076
2,500:¥5.1076
参考库存:24683
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥41.9569
10:¥35.6515
100:¥30.8942
250:¥29.3574
500:¥26.2838
参考库存:5075
晶体管
MOSFET 100V 37A P-Channel
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.605
2,000:¥9.605
参考库存:10942
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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