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晶体管
APT40GR120B2D30参考图片

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APT40GR120B2D30

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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库存：1,453(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥88.366
88.366
10
¥79.5294
795.294
25
¥72.4556
1811.39
50
¥67.461
3373.05
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
88 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
88 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
88 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN3008SCP10-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥7.3789
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
1,000:¥3.39
3,000:¥3.39
参考库存:46486
DMT8012LFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
3,000:¥3.0397
参考库存:46491
APT23F60S
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥58.7826
10:¥52.8614
25:¥48.1832
100:¥43.4937
参考库存:46496
BSC019N04LSATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
5,000:¥5.2432
10,000:查看
参考库存:31159
DMJ70H600SH3
Diodes Inc. / Pericom
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4636
参考库存:46503

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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