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晶体管
APT40GR120B2D30参考图片

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APT40GR120B2D30

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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¥88.366
88.366
10
¥79.5294
795.294
25
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1811.39
50
¥67.461
3373.05
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
88 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
88 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
88 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBSS5220PAPSX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5220PAPS/HUSON6/REEL 7" Q1
3,000:¥1.356
9,000:¥1.2656
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1639
参考库存:51948
A2T21H410-24SR6
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,282.0754
参考库存:51953
VS-GB100YG120NT
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 SW Mod - ECONO IGBT
10:¥1,087.8962
参考库存:51958
CMPT2907A BK
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Transistor PNP Gen Purpose
14,000:¥1.7402
28,000:¥1.6837
参考库存:51963
MPSA70
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur
7,500:¥1.356
10,000:¥1.2656
25,000:¥1.2091
50,000:¥1.1752
参考库存:51968

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    50万现货SKU

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